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IXTA102N15T IXTH102N15T
IXTP102N15T IXTQ102N15T
160
Fig. 7. Input Admittance
120
Fig. 8. Transconductance
140
120
100
80
110
100
90
80
70
60
T J = - 40oC
25oC
60
40
20
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
50
40
30
20
10
0
150oC
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
275
250
225
200
175
150
125
9
8
7
6
5
4
V DS = 75V
I D = 51A
I G = 10mA
100
75
50
25
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1000.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
1,000
100.0
25μs
100μs
Coss
10.0
1ms
100
10
f = 1 MHz
Crss
1.0
0.1
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
10ms
100ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V DS - Volts
IXYS REF: F_102N15T(6E)90-30-08
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